英特尔制造硅自旋量子比特芯片取得显著突破 - 英特尔

10月9日消息（南山）英特尔实验室展示了迄今为止业界最高的硅自旋量子比特芯片的报告产量和均匀性，这些芯片是在英特尔的晶体管研发设施开发的。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩大规模和努力制造量子芯片的一个重要里程碑。

这项研究是使用英特尔的第二代硅自旋测试芯片进行的。通过使用英特尔低温探针(在低温(1.7 K或-271.45摄氏度)下运行的量子点测试设备，该团队分离出12个量子点和4个传感器。这是业界最大的硅电子自旋器件，在整个300 mm硅晶圆的每个位置都有一个电子。

英特尔的研究表明，使用极紫外（EUV）光刻技术制造的芯片显示出显著的均匀性，整个晶圆的良率达到95%。低温探针的使用以及强大的软件自动化能力，使最后一个电子的900多个单量子点和400多个双量子点，可以在不到24小时内、绝对零度以上被表征出来。

与以前的英特尔测试芯片相比，这种在低温下表征的芯片产量和均匀性的提高，这意味着硅自旋量子比特芯片已经非常接近量产，向商业量子计算机所需的数千或潜在的数百万量子比特扩展的关键一步。

英特尔量子硬件总监James Clarke表示：英特尔继续在利用自己的晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面取得进展。实现的高良率和一致性表明，在英特尔已建立的晶体管工艺节点上制造量子芯片是一项明智的战略，是随着技术商业化的成熟而取得成功的有力标志。

2022年10月5日，这项研究成果在加拿大魁北克举行的2022年硅量子电子研讨会上公布。

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