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2024-2026年SiC器件发展将迎“爆发期” - IT资讯

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2022-11-07 / 0 评论 / 0 点赞 / 89 阅读 / 491 字

财联社报道称,中信建投认为,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件。

中信建投将SiC器件发展分为三个发展阶段:2019-2021年为初期;2022-2023年为拐点期;2024-2026年为爆发期。

中信建投认为,SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开,需求迎来爆发增长,其中,新能源汽车是SiC器件应用增长最快的市场,预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元。

尤为值得一提的是,本土企业在车用SiC领域已经取得了一定的突破。去年12月,在首届集微汽车半导体生态峰会上,广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳也表示,芯聚能SiC模块将用于主逆变器,且已通过国内前三大主机厂车载可靠性测试、夏季标定和耐久测试,系统环境耐久试验考核,预计2022年Q1量产。

同月,由中车时代电气C-Car平台孵化的全新一代产品C-Power 220s在第二届新能源乘用车自主电驱创新技术高峰论坛正式发布,该产品是国内首款基于自主SiC大功率电驱产品,系统效率最高可达94%。

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