据日本共同社报道，台积电于6月30日在日本横滨召开记者会。台积电副总经理张晓强表示，不排除未来在日本生产先进芯片的可能性。此外，台积电日本公司社长表示，熊本工厂正在进行外墙施工，预计年内即可让员工入住。
在记者会上，台积电表示日本工厂将以日本客户为中心，预计将有持续且旺盛的需求。据此前消息，该工厂规划生产22/28nm以及12/16nm芯片，月产能目标为5.5万片晶圆。
图源：台积电
另据日媒电波新闻报道，台积电在发布会上强调，2nm制程工艺（N2）研发顺利，能够按照此前目标于2025年量产。此外，张晓强还表示，256Mb SRAM的良率已经超过50%，研发目标80%以上已完成。
台积电此前生产的车用芯片多依赖成熟制程制造，但随着电动汽车、自动驾驶等普及，台积电正在加快引进最先进的技术。张晓强表示，通过导入新技术平台“Auto Early”，将使车用芯片引入3nm技术的时间最少提前2年。
集微网此前报道，台积电“日本一厂”预计将于2024年底启用投产，而日本二厂正在规划中，预计总投资超过1万亿日元，有望引入5-10nm先进制程。
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