良率超50%，全球第三大硅晶圆厂环球晶明年试产8英寸SiC - 通信终端

全球第三大硅晶圆生产商环球晶圆控股（GlobalWafers）董事长徐秀兰表示，公司克服了量产碳化硅（SiC）晶圆的重重技术难关，已经将 SiC 晶圆推进至 8 英寸，和国际大厂保持同步。

徐秀兰预估将会在 2024 年第 4 季度开始小批量出货 8 英寸 SiC 产品，2025 年大幅增长，到 2026 年占比超过 6 英寸晶圆。

环球晶圆表示目前较好地控制了 8 英寸晶圆良率，已经超过 50%，而且有进一步改善的空间，明年上半年开始交付相关样品。

从报道中获悉，徐秀兰表示客户都希望环球晶圆教书从 6 英寸到 8 英寸 SiC 量产的过渡，主要客户来自汽车领域。

环球晶圆设计并开发了专门的碳化硅晶体生长炉（Crystal Growth Furnace），增强了材料质量控制并降低了晶体生长成本。

SiC 的高硬度和脆性使得晶圆加工具有挑战性，但环球晶圆采用更高的工艺精度和更高效的晶圆处理方法，从而实现超薄 SiC 晶圆加工。