6月30日消息（南山）据韩国媒体报道，三星电子今日正式投产GAA架构的3nm工艺芯片制造，为赶超台积电奠定基础。报道称，GAA架构优于当前广泛使用的FinFET架构。
台积电此前宣布在今年下半年量产3nm工艺。这意味着，三星首次在先进工艺层面反超台积电。此外，英特尔预计在明年下半年量产3nm工艺芯片。
这一工厂投产也打破了业界的大量猜疑。此前台湾业界就认为，三星可能因为3nm良率过低，而不得不延后量产。
客观来说，这一猜疑具有历史基础。三星一直努力追赶台积电的先进工艺，但步伐太大，良率时不时成为隐患。在晶圆代工市场，三星也大幅落后于台积电的份额。
对于三星的突破性进展，台积电表示不予评论。据称，台积电基于FinFET架构的3nm工艺将进入量产阶段，并搭配FINLEX架构。此外，2nm工艺预计在2025年量产。
数据显示，三星芯片制造60%产能供给集团旗下公司。预计本次3nm产能也不例外，将优先三星集团使用。
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