台积电：3纳米将成为又一个“长节点” - IT国内新闻

据外媒报道，台积电方面在一年一度的技术研讨会预热活动中介绍了其对未来半导体制造工艺的展望。

该公司高级副总裁Kevin Zhang称，台积电将在2纳米制程采用纳米片构型取代FinFET，在更小节点，该公司正在研究PN结垂直堆叠的CFET等晶体管架构，以及二硫化钼二维材料和碳纳米管潜力。

Kevin Zhang还表示，台积电确信3纳米将是一个“长节点”，将看到客户大量需求，3纳米与2纳米需求将并存相当长时间。

另有分析师指出，三星目前在3纳米节点引入纳米片技术，可能适得其反，因客户担忧新构型带来的不确定性，在工艺能力方面，台积电的过往业绩更令客户放心。

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