传台积电计划在美国建第二座新厂 拟切入3纳米制程 - 通信终端

近日，据钜亨网消息，台积电近期传出将展开评估在美投资兴建第二座晶圆厂，拟切入 3 纳米制程，建厂时程约 2 年后。对此，台积电8月19日表示，不回应市场传闻。

此前，台积电美国亚利桑那州 5 纳米新厂，已于7月底上梁，预计一期于2024年量产，第一期月产能2万片。

不过，由于台积电亚利桑那州厂土地面积广大，占地约445公顷，先前就多次传出，台积电将扩大亚利桑那州投资计划，预计建6座晶圆厂。

台积电总裁魏哲家去年也曾说，台积电已在亚利桑那州取得大范围土地，以维持弹性，进一步扩建是有可能的，但首要任务是使第一期厂房顺利量产，接着根据营运效率、成本效益，及客户需求来决定下一步计划。

据了解，台积电的3nm工艺仍将采用FinFET晶体管的结构，而三星的3nm节点采用GAA晶体管架构。三星甚至领先于台积电，将3nm工艺技术转向量产。

消息人士指出，AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达3nm芯片订单。但三星的3nm GAA工艺尚未吸引主要芯片供应商的订单。

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